کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789654 | 1524389 | 2016 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled sputtering of AlN (002) and (101) crystal orientations on epitaxial 3C-SiC-on-Si (100) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Aluminum Nitride (AlN) thin films are successfully deposited on epitaxial 3C-SiC-on-Si (100) substrates using DC magnetron sputterer. The sputtered films are characterized on the following parameters: crystal orientations (Siemens D500 X-Ray diffraction tool), deposition rate (Nanospec AFT 180), surface roughness (Park NX20 Atomic Force Microscopy), refractive index (Rudolph AutoEL IV Ellipsometer), in-plane stress (Tencor Flexus 2320 System) and Raman Spectra (Rennishaw InVia Spectrometer). XRD results demonstrate that the orientation of the AlN thin films can be changed from (002) to (101) by increasing the Nitrogen to Argon ratio from 40% to 80% at the total gas flow of 50Â sccm. We are also able to tune the in-plane stress via RF biasing on the substrate. Both controlling abilities enable the applications of these thin films for low cost longitudinal piezoelectric devices and a quasi-shear mode devices using (002) and (101) orientations, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 440, 15 April 2016, Pages 76-80
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 440, 15 April 2016, Pages 76-80
نویسندگان
A. Iqbal, G. Walker, A. Iacopi, F. Mohd-Yasin,