کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789747 | 1524398 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
(Ga,In)P nanowires grown without intentional catalyst
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have grown (Ga,In)P nanowires through the MOCVD method without a intentional catalyst. The organometallic precursor triethylgallium ((C2H5)3Ga), used as Ga source, is transported by the N2 gas carrier to the reactor chamber where reacts with the InP vapor pressure producing the nanowires. Two different reactor pressures (70 and 740Â Torr) were used leading to nanowires with different In contents. The nanowires are straight or wool-like and exhibit a twinned structure. They emit an intense orange to red color visible even to the naked eyes. Interface tunneling process at Ga1âxInxP/Ga1âyInyP interfaces (xâ y) is proposed to explain this efficient light emission mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 431, 1 December 2015, Pages 72-78
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 431, 1 December 2015, Pages 72-78
نویسندگان
Carolina F. Cerqueira, Bartolomeu C. Viana, Cleanio da Luz-Lima, Nestor Perea-Lopez, Mauricio Terrones, Eduardo H.L. Falcão, Anderson S.L. Gomes, Remi Chassagnon, André L. Pinto, Luiz C. Sampaio, Marco Sacilotti,