کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790327 | 1524428 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and EPR properties of HoVO4 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
• Good quality HoVO4 single crystals were grown by the Czochralski method.
• HoVO4 EPR and PL spectra revealed V4+ ions contribution besides Ho3+ ions.
• Angular dependences of EPR spectra have shown C3 local symmetry of Ho3+ ions.
HoVO4 single crystals were grown by the Czochralski method. The crystals were transparent. EPR spectra of the well oriented crystals were recorded as a function of the applied magnetic field. Besides Ho3+, V4+ ions were detected. EPR-NMR program was applied to find spin Hamiltonian parameters of Ho3+ ions. Absorption, excitation and photoluminescence spectra were measured, revealing the presence of electronic transitions characteristic for Ho3+ ions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 401, 1 September 2014, Pages 177–180
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 401, 1 September 2014, Pages 177–180
نویسندگان
G. Leniec, S.M. Kaczmarek, M. Berkowski, M. Głowacki, T. Skibiński, A. Suchocki, Y.A. Zhydachevskii,