کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790498 | 1524433 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study of the intermediate layer in 3C-SiC/6H-SiC heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Transmission electron microscopy and the cathodoluminescence method have been used to study the transition region in 3C-SiC/6H-SiC heterostructures. It is shown that this region is, as a rule, constituted by alternating 3C-SiC and 6H-SiC layers, with possible inclusion of other silicon carbide polytypes. An assumption is made that this structure of the transition region can be explained in terms of the spinodal decomposition model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 396, 15 June 2014, Pages 100-103
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 396, 15 June 2014, Pages 100-103
نویسندگان
A.A. Lebedev, M.V. Zamoryanskaya, S. Yu. Davydov, D.A. Kirilenko, S.P. Lebedev, L.M. Sorokin, D.B. Shustov, M.P. Shcheglov,