کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790650 | 1524440 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tapering and crystal structure of indium phosphide nanowires grown by selective area vapor liquid solid epitaxy
ترجمه فارسی عنوان
ساختار نازک و ساختار کریستالی نانوسیم های فسفید ایندیوم با استفاده از اپیتاکسای جامد مایع بخار منطقه ای انتخاب شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
We present a study of indium phosphide nanowires grown by the selective area vapor liquid solid technique using metalorganic molecular beam epitaxy. Transmission electron microscopy revealed that nanowires grown at a temperature of up to 450 °C had a pure wurtzite structure, but at 480 °C a mixed wurtzite-zincblend structure was obtained. We also accurately measured the migration length of growth precursors along the side facets of the nanowires by monitoring the length of the non-tapered section of the nanowire adjacent to the gold catalyst. The migration length was found to be of the order of 0.3-0.7 µm and to depend on the diameter of the nanowire. Up to the growth temperature of 450 °C the migration length was temperature independent, but it increased dramatically to more than 2 µm when the nanowires were grown at 480 °C. Possible explanations for the observed effects are suggested.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 389, 1 March 2014, Pages 103-107
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 389, 1 March 2014, Pages 103-107
نویسندگان
Ya'akov Greenberg, Alex Kelrich, Yonatan Calahorra, Shimon Cohen, Dan Ritter,