Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A1. Crystal structure; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Selective area vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium phosphide;
مقالات ISI A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Growth of wurtzite InP/GaP core-shell nanowires by metal-organic molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A1. Crystal structure; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Phosphides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium phosphide;
Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A1. Characterization; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials
Behavior of defects in a-plane GaN films grown by low-angle-incidence microchannel epitaxy (LAIMCE)
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A1. Defects; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitride; B2. Semiconducting gallium compound;
Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials
Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;
Photoluminescence studies of indium nitride films grown on oxide buffer by metalorganic molecular-beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III–V materials
Heteroepitaxial growth of InN on GaN intermediate layer by PA-MOMBE
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III–V materials
Carbon reduction and antimony incorporation in InGaAsSb films grown by metalorganic molecular beam epitaxy using tris-dimethylaminoantimony
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; 81.15.Hi; 82.80.Ms; 78.55.Cr; 81.05.Ea; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting quarternary alloys;
Growth and characterization of AlxGa1âxN via NH3-based metal-organic molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; 68.55.âa; 81.10.âh; 81.15.âz; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;
Mixed alkyl exchange and exploitable surface interactions in InGaN by NH3-based metal organic molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; A1. Surface processes; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;
Luminescence study on evolution from Te isoelectronic centers to type-II ZnTe quantum dots grown by metalorganic molecular-beam epitaxy
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; 78.55.Et; 78.67.HcA1. Impurities; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials
Preparation and study of stoichiometric ZnO by MOCVD technique
Keywords: A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزات; 81.05.Dz; 82.80.Pv; 78.55.Et; 81.15.Gh; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray photoelectron; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;