کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795335 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Luminescence study on evolution from Te isoelectronic centers to type-II ZnTe quantum dots grown by metalorganic molecular-beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Luminescence study on evolution from Te isoelectronic centers to type-II ZnTe quantum dots grown by metalorganic molecular-beam epitaxy Luminescence study on evolution from Te isoelectronic centers to type-II ZnTe quantum dots grown by metalorganic molecular-beam epitaxy](/preview/png/1795335.png)
چکیده انگلیسی
Isoelectronically substitutional material systems are proposed as offering a unique possibility to study the physics of different regimes from single isoelectronic centers (ICs) to self-assembled quantum dots (QDs) within the same material combinations. Luminescence evolution of ZnSe:Te system were investigated as such isoelectronically substitutional system. A successive change in the spectral dominance of luminescence with increasing ZnTe layer thickness indicates the evolution from ICs to QDs in ZnSe:Te system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 277–280
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 277–280
نویسندگان
M. Jo, M. Endo, H. Kumano, I. Suemune,