کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794622 | 1524481 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mixed alkyl exchange and exploitable surface interactions in InGaN by NH3-based metal organic molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Surface processes - A1 فرایندهای سطحA3. Metalorganic molecular beam epitaxy - A3 اپی تیکاسیون تیرهای مولکولی فلزاتA3. Chemical beam epitaxy - A3 اپی تیکسی امواج شیمیاییB1. Nitrides - B1 نیتریت هاB2. Semiconducting indium compounds - B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیومB2. Semiconducting ternary compounds - B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InGaN films with up to 19% indium composition are demonstrated for the first time by NH3-based MOMBE. Significant variations in alloy composition, growth rate, and III-alkyl desorption with substrate temperature, V/III, and Ga/In are reported. Desorbing III-alkyl species in the presence of TMIn are identified as predominantly III-methyl species resulting from mixed alkyl interactions at the growth interface. The results indicate that while reduced temperature growth is possible with NH3, growth is N-limited and control of active N, In/In-methyl surface coverage, and III-alkyl desorption set an upper limit to indium incorporation. Moreover, these three interdependent variables provide sensitive, exploitable mechanisms for intentional and controllable lateral composition inhomogeneity enabling novel three-dimensional device structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 24, 1 December 2008, Pages 5297-5302
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 24, 1 December 2008, Pages 5297-5302
نویسندگان
David Pritchett, Walter Henderson, Daniel Billingsley, W. Alan Doolittle,