دانلود مقالات ISI درباره A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی + ترجمه فارسی

Hydrogen induced quality improvement of GaNAs layers grown by chemical beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nitrides; A1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A1. Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Redshift and blueshift of GaNAs/GaAs multiple quantum wells induced by rapid thermal annealing

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; A3. Quantum wells; A1. Optical properties; A1. Rapid thermal annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Inhomogeneous nitrogen incorporation effects on the transport properties of GaAsN grown by CBE

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Characterization; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Alloys; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Double acceptor in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A3. Chemical beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

GaAs nanowires grown by Ga-assisted chemical beam epitaxy: Substrate preparation and growth kinetics

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Crystal structure; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Vapor–liquid–solid; B1. Nanowires; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Al-enhanced N incorporation in GaNAs alloys grown by chemical beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Nitrogen incorporation; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. AlGaNAs; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Inhibition of Te surfactant effect on surface morphology of heavily Te-doped GaAs

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Doping; A1. Surface structure; A1. Morphological stability; A3. Chemical beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Nitrogen-induced localized level observed by photoreflectance in GaAsN thin films grown by chemical beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Photoreflectance; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Dilute nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optimization of p-doping in AlGaAs grown by CBE using TMA for AlGaAs/GaAs tunnel junctions

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Carbon incorporation; A3. Chemical beam epitaxy; B1. AlGaAs; B3. Solar cells; B3. Tunnel junction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Chemical beam epitaxy growth and optimization of InAs/GaAs quantum dot multilayers

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Low dimensional structures; A1. Nucleation; A3. Chemical beam epitaxy; A1. Quantum dots; InAs quantum dots;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Suppression of lateral growth in InAs/InAsSb heterostructured nanowires

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Crystal morphology; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Pure zincblende GaAs nanowires grown by Ga-assisted chemical beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Crystal structure; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Vapor–liquid–solid; B1. Nanowires; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Novel material for super high efficiency multi-junction solar cells

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Defects; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Alloys; B2. Semiconducting III-V materials; D3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Ga and In incorporation rates in Ga1−xInxAs growth by chemical beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Fabrication of nano-crystalline silicon thin film at low temperature by using a neutral beam deposition method

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Surface structure; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Polycrystalline deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Shorter wavelength emission with InAs quantum dots growth directly on large bandgap quaternary (In0.68Ga0.32As0.7P0.3) barriers for high current injection efficiency

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Atomic force microscopy; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Evolution of ordered one-dimensional and two-dimensional InAs/InP quantum dot arrays on patterned InP (1 0 0) and (3 1 1)B substrates by self-organized anisotropic strain engineering

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconductor III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Flow modulation effect on N incorporation into GaAs(1−x)Nx films during chemical beam epitaxy growth

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Desorption; A1. Adsorption; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V material; B3. Solar cells; 81.15.Hi; 84.60.Jt; 81.05.Ea;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Chemical beam epitaxy of highly ordered network of tilted InP nanowires on silicon

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; 81.15.Hi; 62.23.Hj; 81.30.−t; A1. Eutectics; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nanowires;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of InAs/InP-based quantum dots for 1.55 μm laser applications

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; 68.65.+g; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 78.55.−mA1. Nanostructures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Mixed alkyl exchange and exploitable surface interactions in InGaN by NH3-based metal organic molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; A1. Surface processes; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

GaN nano- and micro-spheres fabricated selectively on silicon

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; 78; 78.67.−n; 78.67.Bf; A1. Nano-structures; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface morphology induced InAs quantum dot or dash formation on InGaAsP/InP (1 0 0)

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.HiA1. Low dimensional structures; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

InAs/InP quantum dots emitting in the 1.55μm wavelength region by inserting ultrathin GaAs and GaP interlayers

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.16.Dn; A1. Low-dimensional structures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Shape transition from InAs quantum dash to quantum dot on InP(3 1 1)A

Keywords: A3 اپی تیکسی امواج شیمیایی; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.16.Dn; A1. Low dimensional structures; A3. Chemical beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه