کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796143 | 1023737 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN nano- and micro-spheres fabricated selectively on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
78.67.BfA1. Nano-structures78.67.−n - 78.67.-nA3. Chemical beam epitaxy - A3 اپی تیکسی امواج شیمیاییB1. Gallium compounds - B1 ترکیبات گالیمB1. Nitrides - B1 نیتریت هاB2. Semiconducting gallium compounds - B2 ترکیبات گالیم نیمه هادیB2. Semiconducting materials - B2 مواد نیمه هادیB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: GaN nano- and micro-spheres fabricated selectively on silicon GaN nano- and micro-spheres fabricated selectively on silicon](/preview/png/1796143.png)
چکیده انگلیسی
This work presents the selective growth of three-dimensional metallic gallium nitride structures on silicon substrates by chemical beam epitaxy (CBE) with a subsequent plasma nitridation process. The use of titanium pre-deposited stripes over silicon (1 0 0) is shown to provide high selectivity where spherical and semi-spherical structures are obtained only over the metal. These structures have diameters ranging from 100 nm to 3 μm depending on the growth conditions. The nitridation process was performed on an electron cyclotron resonance (ECR) plasma system. Raman micro-spectroscopy results showed GaN formation with zinc blend crystal structure and photoluminescence emission in the visible spectrum in a range between 350 and 650 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 308, Issue 1, 1 October 2007, Pages 37-40
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 308, Issue 1, 1 October 2007, Pages 37-40
نویسندگان
L.A.M. Barea, A.A.G. von Zuben, A.Z. Márquez, N.C. Frateschi,