کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151902 | 1524446 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Inhibition of Te surfactant effect on surface morphology of heavily Te-doped GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Inhibition of Te surfactant effect on surface morphology of heavily Te-doped GaAs Inhibition of Te surfactant effect on surface morphology of heavily Te-doped GaAs](/preview/png/8151902.png)
چکیده انگلیسی
The surface morphology and incorporation behavior of heavily Te-doped GaAs were studied for various growth parameters by chemical beam epitaxy (CBE). The Te precursor, DIPTe (diisopropyl telluride), acts as a volatile dopant in the growth temperature range of 475-595 °C. Electrical activation of Te is increased for lower growth temperatures. The Te surfactant effect was shown to lead to three-dimensional growth, which greatly affected the resulting surface morphology. We have shown that growth parameters can be tuned to reduce the Te surfactant effect through kinetic limitation, thus obtaining improved surface morphologies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 383, 15 November 2013, Pages 30-35
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 383, 15 November 2013, Pages 30-35
نویسندگان
Bernard Paquette, Bouraoui Ilahi, Vincent Aimez, Richard Arès,