کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792626 | 1023652 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Shorter wavelength emission with InAs quantum dots growth directly on large bandgap quaternary (In0.68Ga0.32As0.7P0.3) barriers for high current injection efficiency
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the growth of stacked layers of InAs quantum dots directly on high bandgap In0.68Ga0.32As0.7P0.3 (λg=1420 nm) barriers. The quaternary material is lattice matched to InP forming a double hetero-structure. Indium flux, number of InAs stacked layers and InGaAsP inner separation layer thickness were investigated. Photoluminescence (PL) and atomic force microscopy (AFM) analysis indicate the occurrence of gallium diffusion and the arsenic/phosphorus (As/P) exchange with the InGaAsP barriers. As a result, shorter wavelength emission is observed, making the structures suitable for telecom applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 15, 15 July 2010, Pages 2279–2283
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 15, 15 July 2010, Pages 2279–2283
نویسندگان
J.R. Mialichi, N.C. Frateschi,