کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829619 | 1524495 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Shape transition from InAs quantum dash to quantum dot on InP(3Â 1Â 1)A
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the shape transition from InAs quantum dashes to quantum dots (QDs) on lattice-matched GaInAsP on InP(3Â 1Â 1)A substrates. InAs quantum dashes develop during chemical-beam epitaxy of 3.2 monolayers InAs, which transform into round InAs QDs by introducing a growth interruption without arsenic flux after InAs deposition. The shape transition is solely attributed to surface properties, i.e., increase of the surface energy and symmetry under arsenic deficient conditions. The round QD shape is maintained during subsequent GaInAsP overgrowth because the reversed shape transition from dot to dash is kinetically hindered by the decreased ad-atom diffusion under arsenic flux.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 3â4, 1 July 2005, Pages 413-418
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 3â4, 1 July 2005, Pages 413-418
نویسندگان
Q. Gong, R. Nötzel, P.J. van Veldhoven, T.J. Eijkemans, J.H. Wolter,