کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8152053 | 1524449 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Al-enhanced N incorporation in GaNAs alloys grown by chemical beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The N incorporation is studied in AlGaNAs with low Al content grown by chemical beam epitaxy at low temperature using dimethylhydrazine as the N precursor. The incorporation efficiency is significantly enhanced by introducing a relatively low Al concentration. The relation between the N incorporation and N/(N+As) flow ratio for Al concentrations of 0-15% is presented. The highest N incorporation and the best AlGaNAs crystal quality are obtained between 400 °C and 440 °C, where the growth mode starts to change from 2D to 3D. The activation energies for N incorporation in both the 2D and 3D growth mode regions are extracted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 380, 1 October 2013, Pages 256-260
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 380, 1 October 2013, Pages 256-260
نویسندگان
Gitanjali Kolhatkar, Abderraouf Boucherif, Christopher E. Valdivia, Steven G. Wallace, Simon Fafard, Vincent Aimez, Richard Arès,