کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791794 | 1023620 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠{112Ì0} and {112Ì2} sidewalls formed when [NH3]/[TMG] R<50 and R>100, respectively. ⺠Low ratio of R <50 is considered suitable for MCE of GaN. ⺠Growth temperature and the R ratio are optimized at 820 °C and 40, respectively. ⺠6 μm wide lateral overgrowth of GaN was successfully achieved by LAIMCE. ⺠No pits appear on lateral growth region of GaN surface after etching by H3PO4.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 214-217
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 214-217
نویسندگان
Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka,