کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791033 | 1524458 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In-rich molecular beam epitaxy of InAs on Sb-terminated GaAs(001) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Growth mode of InAs was studied as a function of Sb-induced template. ⺠Sb-terminated GaAs(001)-(2Ã3), (2Ã4) and (2Ã8) templates were prepared. ⺠Effect of Sb-induced template could be observed for In-rich growth conditions only. ⺠Sb-induced decrease of surface energy could trigger growth mode change.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 371, 15 May 2013, Pages 50-55
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 371, 15 May 2013, Pages 50-55
نویسندگان
A.V. Katkov, C.C. Wang, J.Y. Chi,