کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791033 1524458 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In-rich molecular beam epitaxy of InAs on Sb-terminated GaAs(001) surface
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
In-rich molecular beam epitaxy of InAs on Sb-terminated GaAs(001) surface
چکیده انگلیسی
► Growth mode of InAs was studied as a function of Sb-induced template. ► Sb-terminated GaAs(001)-(2×3), (2×4) and (2×8) templates were prepared. ► Effect of Sb-induced template could be observed for In-rich growth conditions only. ► Sb-induced decrease of surface energy could trigger growth mode change.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 371, 15 May 2013, Pages 50-55
نویسندگان
, , ,