کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791108 | 1524459 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
1-eV InGaAsN/GaAs quantum well structure for high efficiency solar application grown by MOVPE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Analyze the composition from InGaAsN QWs X-ray diffraction rocking curve. ⺠Applied InGaAsN QWs as absorption layer in 1-eV single junction solar cell. ⺠Absorption wavelength band edge increases with nitrogen incorporation. ⺠The hybrid QWs structures further improve MQW solar cell performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 370, 1 May 2013, Pages 236-239
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 370, 1 May 2013, Pages 236-239
نویسندگان
T.H. Wu, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.Y. Huang, H.J. Wu, Y.C. Lin,