| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 1791108 | 1524459 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												1-eV InGaAsN/GaAs quantum well structure for high efficiency solar application grown by MOVPE
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠Analyze the composition from InGaAsN QWs X-ray diffraction rocking curve. ⺠Applied InGaAsN QWs as absorption layer in 1-eV single junction solar cell. ⺠Absorption wavelength band edge increases with nitrogen incorporation. ⺠The hybrid QWs structures further improve MQW solar cell performance.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 370, 1 May 2013, Pages 236-239
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 370, 1 May 2013, Pages 236-239
نویسندگان
												T.H. Wu, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.Y. Huang, H.J. Wu, Y.C. Lin,