کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791108 1524459 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
1-eV InGaAsN/GaAs quantum well structure for high efficiency solar application grown by MOVPE
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
1-eV InGaAsN/GaAs quantum well structure for high efficiency solar application grown by MOVPE
چکیده انگلیسی
► Analyze the composition from InGaAsN QWs X-ray diffraction rocking curve. ► Applied InGaAsN QWs as absorption layer in 1-eV single junction solar cell. ► Absorption wavelength band edge increases with nitrogen incorporation. ► The hybrid QWs structures further improve MQW solar cell performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 370, 1 May 2013, Pages 236-239
نویسندگان
, , , , , ,