کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791181 | 1524465 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Estimation of solidification interface shapes in a boron-phosphorus compensated multicrystalline silicon ingot via photoluminescence imaging
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A technique for estimating solidification front shapes using photoluminescence imaging on as-cut wafers is presented. ⺠Dopant density images are obtained from wafers under surface limited conditions. ⺠A frequency filtering technique is applied to remove the effect of grain boundaries. ⺠This technique is applicable to ingots grown by directional solidification.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 364, 1 February 2013, Pages 67-73
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 364, 1 February 2013, Pages 67-73
نویسندگان
S.Y. Lim, M. Forster, D. Macdonald,