کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791405 | 1524468 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN](/preview/png/1791405.png)
چکیده انگلیسی
⺠Lift-off of epitaxial GaN was demonstrated by regrowth over nanoporous GaN. ⺠Nanopores transformed into nano voids during the high temperature regrowth. ⺠Nano voids coalesced into an empty space for lift-off. ⺠Strain in GaN-on-nothing structure was characterized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 361, 15 December 2012, Pages 103-107
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 361, 15 December 2012, Pages 103-107
نویسندگان
Jin-Ho Kang, June Key Lee, Sang-Wan Ryu,