کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791473 | 1524469 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of surface effects on silicon carbide polytype stability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Role of surface effects on silicon carbide polytype stability Role of surface effects on silicon carbide polytype stability](/preview/png/1791473.png)
چکیده انگلیسی
We investigated with ab initio calculations the energetics of the most common silicon carbide (SiC) polytypes. We considered the (0001) Si face and the (0001¯) C face of 3C-, 6H-, 4H- and 2H–SiC. Our investigation reveals that the energy differences among SiC polytypes are enhanced at the surface with respect to the bulk. We discuss the relevant role played by the surface for the crystal growth of SiC.
► We investigated the energetics of some silicon carbide polytypes.
► Bulk energy differences are too low to explain the polytype stability.
► However, surface energetics strongly influence the polytype selection.
► This study contributes to explain growth instabilities like step bunching and polytype mixing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 360, 1 December 2012, Pages 189–192
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 360, 1 December 2012, Pages 189–192
نویسندگان
Frédéric Mercier, Shin-ichi Nishizawa,