کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791529 | 1524472 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of CoxFe4−xN (0.4<x<2.9) thin films on SrTiO3(001) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We attempted to grow CoxFe4−xN epitaxial thin films on SrTiO3(001) substrates by molecular beam epitaxy supplying solid Co and Fe and a radio frequency N2 plasma, simultaneously. The composition ratio of Co/Fe in CoxFe4−xN was controlled by changing the weight ratio of Co to Fe flakes in the crucible of the Knudsen cell used. We confirmed epitaxial growth of CoxFe4−xN (0.4
► Co3FeN has attracted attention because of its large spin polarization.
► We had already reported the epitaxial growth of Fe4N and Co4N films by MBE.
► In this work, CoxFe4−xN (0.4
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 357, 15 October 2012, Pages 53–57
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 357, 15 October 2012, Pages 53–57
نویسندگان
Tatsunori Sanai, Keita Ito, Kaoru Toko, Takashi Suemasu,