کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791812 1023621 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method
چکیده انگلیسی
► Growth velocity of seeded SiC is studied. ► Growth velocity is mainly determined by phase diagram. ► Temperature field in a furnace should increase to increase growth velocity of SiC. ► Distribution of carbon in the melt is modified by temperature in a furnace.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 348, Issue 1, 1 June 2012, Pages 71-74
نویسندگان
, , , ,