کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791812 | 1023621 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method](/preview/png/1791812.png)
چکیده انگلیسی
⺠Growth velocity of seeded SiC is studied. ⺠Growth velocity is mainly determined by phase diagram. ⺠Temperature field in a furnace should increase to increase growth velocity of SiC. ⺠Distribution of carbon in the melt is modified by temperature in a furnace.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 348, Issue 1, 1 June 2012, Pages 71-74
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 348, Issue 1, 1 June 2012, Pages 71-74
نویسندگان
F. Inui, B. Gao, S. Nakano, K. Kakimoto,