کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1792020 1524475 2012 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Validation of a 3D multi-physics model for unidirectional silicon solidification
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Validation of a 3D multi-physics model for unidirectional silicon solidification
چکیده انگلیسی
► We added a sub-model for bulk crystallization to the existing CFD code X-stream. ► Published 2D tin solidification benchmark was used for first validation. ► Existing 3D industrial solar Si solidification process was also modeled. ► Measured front positions and thermocouple temperatures compared to model results. ► Melt convection relevant for crystallization onset, latent heat for growth rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 340, Issue 1, 1 February 2012, Pages 102-111
نویسندگان
, , , , , ,