کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792020 | 1524475 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Validation of a 3D multi-physics model for unidirectional silicon solidification
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We added a sub-model for bulk crystallization to the existing CFD code X-stream. ⺠Published 2D tin solidification benchmark was used for first validation. ⺠Existing 3D industrial solar Si solidification process was also modeled. ⺠Measured front positions and thermocouple temperatures compared to model results. ⺠Melt convection relevant for crystallization onset, latent heat for growth rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 340, Issue 1, 1 February 2012, Pages 102-111
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 340, Issue 1, 1 February 2012, Pages 102-111
نویسندگان
Philip Simons, Adriaan Lankhorst, Andries Habraken, Anne-Jans Faber, Dumitru Tiuleanu, Roger Pingel,