کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792234 | 1023638 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth rate enhancement of InAs nanowire by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Surface diffusion kinetics plays a major role in the growth of III–V nanowires by the molecular beam epitaxial (MBE) technique. As/In flux is one of the key factors in determining the diffusion length, which eventually affect the growth rate, morphology and length of the InAs nanowire. To identify a better growth condition and to attain a maximum growth rate and longer diffusion length, a systematic analysis has been carried out on the growth of InAs nanowire by varying In- and As-flux. The results have shown that the growth rate and length of the nanowires can be improved to a maximum of 3.8 nm/s and 14 μm, respectively, which is found to be the maximum by the MBE technique in the available reports.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 322, Issue 1, 1 May 2011, Pages 10–14
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 322, Issue 1, 1 May 2011, Pages 10–14
نویسندگان
J. Bubesh Babu, Kanji Yoh,