کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792358 | 1023642 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide](/preview/png/1792358.png)
چکیده انگلیسی
In order to analyze the epitaxial growth of cubic silicon carbide by sublimation epitaxy on different substrates, four different 6H–SiC substrate preparations were used: (i) as-received, (ii) re-polished, (iii) annealed and covered by silicon layer and (iv) with (1 1 1) 3C–SiC buffer layer. Almost 100% coverage and low twin density was achieved when grown on the buffer layer. The XRD and TEM characterizations show better material quality when the layer is grown directly on 6H–SiC substrates. Background doping evaluated by LTPL is in the range of 1016 cm−3 for N and 1015 cm−3 for Al in all grown layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 324, Issue 1, 1 June 2011, Pages 7–14
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 324, Issue 1, 1 June 2011, Pages 7–14
نویسندگان
R. Vasiliauskas, M. Marinova, M. Syväjärvi, R. Liljedahl, G. Zoulis, J. Lorenzzi, G. Ferro, S. Juillaguet, J. Camassel, E.K. Polychroniadis, R. Yakimova,