کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792542 | 1023649 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bridgman growth and site occupation in LuAG:Ce scintillator crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
LuAG:Ce single crystals with various activator concentrations were grown by the vertical Bridgman technique. Characterization of crystals was done in terms of actual doping level, macroscopic defects and degree of non-equivalent substitutions by Lu for Al in octahedral lattice sites. Scintillation measurements were performed using 2×2×8 mm3 shaped samples with Ce concentration in the range 0.05–0.55 at%. Essential improvement of performance was demonstrated in samples containing ≥0.2 at% of Ce; the light yield measured in LuAG:Ce (0.55 at%) was about 26000 ph/MeV, or close to that of LSO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 21, 15 October 2010, Pages 3136–3142
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 21, 15 October 2010, Pages 3136–3142
نویسندگان
A.G. Petrosyan, K.L. Ovanesyan, R.V. Sargsyan, G.O. Shirinyan, D. Abler, E. Auffray, P. Lecoq, C. Dujardin, C. Pedrini,