کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792778 | 1023657 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and segregation of GaAs–AlxIn1−xP core-shell nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and segregation of GaAs–AlxIn1−xP core-shell nanowires Growth and segregation of GaAs–AlxIn1−xP core-shell nanowires](/preview/png/1792778.png)
چکیده انگلیسی
The development of a ternary AlxIn1−xP shell grown around GaAs nanowires epitaxially grown in the [1¯1¯1¯] direction has been studied. Morphology and composition of the shell have been studied using cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). The side facets of the shell are found to develop dominant {11¯0} macro facets with small (approx. 5 nm) {112¯} facets independent of the GaAs core side facets. Phase segregation is observed as AlP developing from the {112¯} facets, while Al0.5In0.5P is found in the rest of the ternary shell.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 10, 1 May 2010, Pages 1755–1760
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 10, 1 May 2010, Pages 1755–1760
نویسندگان
Jakob B. Wagner, Niklas Sköld, L. Reine Wallenberg, Lars Samuelson,