کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792796 | 1524478 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using ZnCl2 and H2O source gases
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using ZnCl2 and H2O source gases Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using ZnCl2 and H2O source gases](/preview/png/1792796.png)
چکیده انگلیسی
The surface morphology of homoepitaxial (0 0 0 1)ZnO thin layers grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) using ZnCl2 and H2O source gases was investigated. Atomic force microscopy (AFM) observations showed that high temperature growth at 1000 °C with a low input H2O/ZnCl2 (VI/II) partial pressure ratio of 20 strongly promoted step-flow growth. X-ray diffraction (XRD) analyses revealed the crystalline quality of the homoepitaxial ZnO layer grown at 1000 °C with input VI/II ratio of 20 is comparable to that of bulk ZnO substrates. Under a constant input partial pressure of ZnCl2, the growth rate of ZnO is constant within the temperature range 700-900 °C, and the growth rate decreases above 900 °C due to the shift of thermodynamic equilibrium of the growth reaction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issues 16â17, 1â15 August 2010, Pages 2324-2327
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issues 16â17, 1â15 August 2010, Pages 2324-2327
نویسندگان
Rui Masuda, Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu,