کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792901 | 1023660 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement of a-plane GaN crystalline quality by overgrowth of in situ etched GaN template
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improvement of a-plane GaN crystalline quality by overgrowth of in situ etched GaN template Improvement of a-plane GaN crystalline quality by overgrowth of in situ etched GaN template](/preview/png/1792901.png)
چکیده انگلیسی
This study demonstrates improvement of crystalline quality of a-plane GaN by growing it on a porous GaN template fabricated by in situ etching of a first GaN film using hydrogen and ammonia gases at 1150 °C in a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor. Photoluminescence (PL) and high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD) measurements show that the crystalline quality of the GaN film re-grown on the porous GaN template was superior to the quality of the initially grown GaN film. This study demonstrates a simple, short procedure for growing high quality a-GaN using a single MOCVD tool without ex situ processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 192–195
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 192–195
نویسندگان
Hsiao-Chiu Hsu, Yan-Kuin Su, Shyh-Jer Huang, Shin-Hao Cheng, Chiao-Yang Cheng,