کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793212 | 1023669 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of two-dimensional InAs quantum dot arrays by self-organized anisotropic strain engineering on InP (3 1 1)B substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The authors report the formation of two-dimensional InAs quantum dot (QD) arrays by self-organized anisotropic strain engineering of InAs/InGaAsP superlattice (SL) templates on InP (3 1 1)B substrates by chemical-beam epitaxy (CBE). The SL template and InAs QD growth conditions are studied in detail for optimized QD ordering. Excellent photoluminescence emission up to room temperature is achieved from buried QD arrays. The emission wavelength is tuned from above 1.9 μm to the 1.55 μm telecom wavelength region through the insertion of ultrathin GaAs interlayers beneath the QD arrays.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 2, 1 January 2010, Pages 164–168
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 2, 1 January 2010, Pages 164–168
نویسندگان
N. Sritirawisarn, F.W.M. van Otten, P.E.D. Soto Rodriguez, J.L.E. Wera, R. Nötzel,