کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793351 | 1023673 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth temperature dependence of the structural and photoluminescence properties of MBE-grown ZnS nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ZnS nanowires (NWs) were fabricated on sapphire by molecular beam epitaxy using Au-droplet catalyst. The NWs grown at 530 and 480 °C are in cubic phase while those grown at 430 °C consist of a minor portion in hexagonal phase. The catalyst heads were found to trap more constituent of the ZnS flux at lower growth temperature. The photoluminescence (PL) spectrum of the NWs grown at 430 °C shows a single peak at its band-edge emission while those grown at 480 and 530 °C display a double-peak feature. The possible origins of the observed PL peaks were discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 9, 15 April 2009, Pages 2630–2634
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 9, 15 April 2009, Pages 2630–2634
نویسندگان
S.K. Lok, G. Wang, Y. Cai, N. Wang, Y.C. Zhong, K.S. Wong, I.K. Sou,