کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793632 | 1023680 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of ZnIn2Se4 buffer layer on CuInSe2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The p-type CuInSe2 (CIS) films were prepared by electrodeposition following the vacuum annealing process. Zn element was diffused into the CIS film samples at 350 °C by heating Zn grains in vacuum. Then, ZnIn2Se4 (ZIS) buffer layer was fabricated on CIS thin film by this thermal diffusion process. The formation of ZIS phase was confirmed by X-ray diffraction pattern (XRD), Raman spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Dark I–V measurement shows that the Zn-doped CIS (0.89 at%)/Mo structure reveals the rectifying property, which indicates that a p–n junction was formed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 1, 15 December 2009, Pages 48–51
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 1, 15 December 2009, Pages 48–51
نویسندگان
Xianzhong Sun, Yue He, Jiayou Feng,