کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793665 | 1023681 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of growth temperature on nitrogen incorporation into ZnO film grown on Al2O3 substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nitrogen-doped ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (P-MBE) have been investigated in terms of growth temperatures (300-800 °C). The growth rate of nitrogen-doped zinc oxide (ZnO) film decreases as growth temperature increases from 500 up to 700 °C since Zn-N bonds decompose. When nitrogen atoms are incorporated to be â¼1021/cm3 at low growth temperature of 300 °C, it is observed the significant decrease of carrier concentration down to â¼1016/cm3 and the abrupt increase of resistivity up to â¼60 Ω cm. However, p-type conductivity is not realized due to the formation of N-H bond.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 466-469
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 466-469
نویسندگان
S.H. Park, T. Minegishi, M. Ito, J.S. Park, I.H. Im, J.H. Chang, D.C. Oh, H.J. Ko, M.W. Cho, T. Yao,