کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793748 | 1023681 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (1 1 0) Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The implication of the surface inclination for the crystalline and surface morphologies of SiGe films grown on Si(1 1 0) substrates was investigated. Compositionally step-graded SiGe films were grown on an exact substrate and on a vicinal substrate by using gas-source molecular beam epitaxy. By comparing the reciprocal space maps (RSM) and cross-sectional scanning transmission electron microscope (STEM) images, the implications of microtwin formation for the surface morphology and for the crystal lattice structure were also investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 809–813
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 809–813
نویسندگان
Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima,