کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793750 | 1023681 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(1 1 0) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the growth temperature dependence of the defect morphologies in the SiGe films grown on Si(1 1 0) substrates. The substrate temperature range in this investigation was 700–800 °C. The samples were comprised of compositionally graded and uniform layers. A transition in the strain relaxation mechanism from microtwin formation to dislocation generation was newly found, which occurred at 800 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 819–824
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 3, 15 January 2009, Pages 819–824
نویسندگان
Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki,