کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793769 | 1023682 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solar-blind 4.55 eV band gap Mg0.55Zn0.45O components fabricated using quasi-homo buffers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A route for synthesizing high Mg content single-phase wurtzite MgZnO films having band gaps in the solar-blind region is demonstrated by employing molecular beam epitaxy on Al2O3 substrates. Importantly, a low Mg content “quasi-homo” buffer, Mg0.17Zn0.83O, was applied to accommodate a host of structural discrepancies and therefore, avoiding phase separation in a high Mg content film, Mg0.55Zn0.45O, as proved by X-ray diffraction. The Mg fraction in the overgrown single-phase epilayer, Mg0.55Zn0.45O, was confirmed by Rutherford backscattering spectrometry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 18, 1 September 2009, Pages 4356–4359
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 18, 1 September 2009, Pages 4356–4359
نویسندگان
Z.L. Liu, Z.X. Mei, T.C. Zhang, Y.P. Liu, Y. Guo, X.L. Du, A. Hallen, J.J. Zhu, A.Yu. Kuznetsov,