کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794129 | 1023691 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semiconductor(BaSi2)/metal(CoSi2) Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(1Â 1Â 1) substrates by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We successfully demonstrated epitaxial growth of semiconductor (BaSi2)/metal(CoSi2) Schottky-barrier structures on Si(1Â 1Â 1), for the first time, by molecular beam epitaxy (MBE). The interface between the CoSi2 and BaSi2 layers was found to be sharp from transmission electron microscopy (TEM) observations. The current-voltage characteristics measured at room temperature showed clear rectifying properties. When positive bias was applied to the CoSi2 layer with respect to the BaSi2 layer, the current increased exponentially. Electron diffraction patterns obtained using reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and TEM are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 6, 15 March 2008, Pages 1250-1255
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 6, 15 March 2008, Pages 1250-1255
نویسندگان
Takashi Suemasu, Masato Sasase, Yoshitake Ichikawa, Michitaka Kobayashi, Dai Tsukada,