کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794169 | 1023692 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sr4Ru2O9 films grown by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sr4Ru2O9 thin films have been grown by pulsed laser deposition (PLD) on Si [1 0 0] substrates, using a Sr2RuO4 target and high oxygen pressures. The growth conditions for a single-phased film were a substrate temperature of 700 °C, and an oxygen pressure of 300 mTorr. An oxygen pressure of 50 mTorr and a substrate temperature of 700 °C lead to the occurrence of nanograins of SrRuO3 at the surface of the Sr4Ru2O9 grains. The Sr4Ru2O9 growth is columnar, with a strong tendency to (0 0 â) texture. Planar defects parallel to the (h 0 0) and (0 k 0) planes are presented. The occurrence of these defects can be explained by an ordering of ruthenium atoms in the Sr4Ru2O9 structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 16, 1 August 2008, Pages 3854-3860
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 16, 1 August 2008, Pages 3854-3860
نویسندگان
R. Chmielowski, V. Madigou, M. Blicharski, Ch. Leroux,