کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794291 | 1023694 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ScAlN nanowires: A cathodoluminescence study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Wurtzite ScAlN nanowires, grown on a scandium nitride (ScN) thin film by hydride vapor phase epitaxy (HVPE), were analyzed by energy dispersive analysis of X-rays (EDX), CL, high resolution transmission electron spectroscopy (HRTEM), and scanning electron microscopy (SEM). The wires were grown along the [0 0 0 1] axis, had an average length of 1μm, a diameter between 50 and 150 nm, and a ScAlN composition with a 95:5 Al:Sc ratio. Cathodoluminescence studies on the individual wires showed a sharp emission near 2.4 eV, originating from the Sc atoms in the aluminum nitride (AlN) matrix. The formation of such a semiconducting ScAlN alloy could present a new alternative to InAlN for optoelectronic applications operating in the 200–550 nm range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 11, 15 May 2009, Pages 3147–3151
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 11, 15 May 2009, Pages 3147–3151
نویسندگان
T. Bohnen, G.R. Yazdi, R. Yakimova, G.W.G. van Dreumel, P.R. Hageman, E. Vlieg, R.E. Algra, M.A. Verheijen, J.H. Edgar,