کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794365 | 1023696 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GdN (1 1 1) heteroepitaxy on GaN (0 0 0 1) by N2 plasma and NH3 molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the heteroepitaxial growth of thin films of rocksalt GdN on c-plane (0 0 0 1) wurtzite GaN by molecular beam epitaxy (MBE) using either an N2 plasma or NH3 as the nitrogen source. In both cases, epitaxial films with fully oriented GdN (1 1 1)∥GaN (0 0 0 1) were deposited as demonstrated by θ–2θ X-ray diffraction. φ scans of GdN peaks demonstrate 6-fold symmetry along the growth axis implying the presence of two 3-fold-symmetric GdN (1 1 1) crystal variants in-plane. Electrical transport and magnetometry measurements on films grown using N2 plasma show that these GdN films are ferromagnetic below TC=70 K and degenerately doped or metallic from 10 to 300 K with magnetotransport signatures associated with TC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 5, 15 February 2009, Pages 1239–1244
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 5, 15 February 2009, Pages 1239–1244
نویسندگان
M.A. Scarpulla, C.S. Gallinat, S. Mack, J.S. Speck, A.C. Gossard,