کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794379 | 1023696 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers](/preview/png/1794379.png)
چکیده انگلیسی
GaN films have been grown on single-crystalline Mo substrates using lattice-matched HfN buffer layers, and their structural properties have been investigated. Although it is not possible to grow high-quality GaN films on either Mo(1 1 0) or (1 1 1) substrates, high-quality epitaxial GaN(0 0 0 1) films with atomically flat surfaces can be grown on the HfN(1 1 1)/Mo(1 1 0) structure with an in-plane alignment of GaN[1 1 2¯ 0] ∥ HfN[1 1¯ 0] ∥ Mo[0 0 1]. We have also found that the HfN/Mo heterointerface is quite abrupt. These results indicate that Mo(1 1 0) substrates with HfN buffer layers are promising candidates for the fabrication of future light-emitting devices (LEDs).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 5, 15 February 2009, Pages 1311–1315
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 5, 15 February 2009, Pages 1311–1315
نویسندگان
Koichiro Okamoto, Shigeru Inoue, Takayuki Nakano, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka,