کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794400 | 1023696 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of high-aspect-ratio TiN nanosheets on Si (1 0 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A formation mechanism for the growth of high-aspect-ratio TiN nanosheets on Si (1 0 0) substrate is proposed based on the anisotropic growth. Calculations of the lattice and domain misfit show that the most likely TiN crystalline plane to grow on Si (1 0 0) is TiN (4 2 2). Two growth directions of the TiN (4 2 2) plane exhibit different growth rates. The uneven growth rate results in mutually perpendicular nanosheets standing on the Si (1 0 0), which is consistent with the FESEM image of the TiN nanosheets. Also, the lattice structure of the TiN nanosheet resulting from the proposed mechanism is nearly identical to the HRTEM image of the TiN nanosheet.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 5, 15 February 2009, Pages 1430–1434
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 5, 15 February 2009, Pages 1430–1434
نویسندگان
Tsung-Yen Huang, Chien-Chong Chen,