کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795139 | 1023716 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of free-carrier concentration on the PEC etching of GaN: A calibration with Raman spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Large areas of electrically active regions of in-homogeneities have been revealed by the electroless photo-etching (PEC) method in GaN layers grown by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) technique.Variations in the local etch rate have been correlated with the variations in the free-carrier concentrations as determined by micro-Raman spectroscopy. The etch rate decreased linearly with the log of the carrier concentration. The latter could change by more than two orders of magnitude on the same sample.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 307, Issue 2, 15 September 2007, Pages 298–301
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 307, Issue 2, 15 September 2007, Pages 298–301
نویسندگان
R. Lewandowska, J.L. Weyher, J.J. Kelly, L. Konczewicz, B. Lucznik,