کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795150 | 1023716 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaN/GaN quantum wells with low growth temperature GaN cap layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: InGaN/GaN quantum wells with low growth temperature GaN cap layers InGaN/GaN quantum wells with low growth temperature GaN cap layers](/preview/png/1795150.png)
چکیده انگلیسی
The use of a low growth temperature, thin (0–30 Å) GaN cap is investigated as a means to reduce indium desorption following the growth of InGaN quantum wells. The cap is grown at the same low temperature as the quantum well, following which the temperature is ramped up for the growth of the remainder of the barrier. Increasing the cap layer thickness results in a red shift of the emission, consistent with decreased indium loss, and a decrease in the room temperature optical efficiency, attributed to the formation of defects in the GaN cap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 307, Issue 2, 15 September 2007, Pages 363–366
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 307, Issue 2, 15 September 2007, Pages 363–366
نویسندگان
S.T. Pendlebury, P.J. Parbrook, D.J. Mowbray, D.A. Wood, K.B. Lee,