کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795289 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio-based approach on initial growth kinetics of GaN on GaN (0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We carried out theoretical analyses based on ab initio calculations that incorporate free energy of the vapor phase in order to determine the initial growth process of cubic GaN on GaN (0Â 0Â 1)-(4Ã1). The results suggest that a N-adsorbed structure appears at the initial growth stage and then Ga adsorbs on the N-adsorbed GaN (0Â 0Â 1)-(4Ã1) surface. Considering this process, we performed Monte Carlo simulations. The results suggest that the maximum point of Ga coverage after supplying a 132 monolayer of atoms shifted toward a Ga-rich condition from V/III=1.0.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 75-78
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 75-78
نویسندگان
Y. Kangawa, Y. Matsuo, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, K. Kakimoto,