کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795318 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature growth of InSb(1 1 1) on Si(1 1 1) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
AbsractLow-temperature growth of InSb films on Si(1 1 1) substrate was performed in an ultra-high vacuum chamber by coevaporation of elemental Indium and Antimony. The grown InSb films were characterized by using X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). Despite large lattice mismatch of about 19.3% between them (1 1 1) preferentially oriented InSb films were obtained on Si(1 1 1) at the low growth temperature range of 200–300 °C. It is found that the high-quality InSb films with smooth surface and two kinds of domains grow on Si(1 1 1) substrate at the temperature rang of 220–240 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 203–206
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 203–206
نویسندگان
K. Murata, N.B. Ahmad, Y. Tamura, M. Mori, C. Tatsuyama, T. Tambo,