کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795385 | 1023721 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preferential growth of Si nanocrystals in SiO2/Si/SiO2 sandwich structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Preferential growth of Si nanocrystals in SiO2/Si/SiO2 sandwich structure Preferential growth of Si nanocrystals in SiO2/Si/SiO2 sandwich structure](/preview/png/1795385.png)
چکیده انگلیسی
SiO2/Si/SiO2 sandwich structure was fabricated by sputtering deposition. Many columnar {1 1 1} Si nanocrystals containing nanotwins were observed perpendicular to Si/SiO2 interface after annealing. The preferential growth of {1 1 1} Si nanocrystals can attribute to two reasons, namely the nucleation at Si/SiO2 interface and the lowest surface energy of {1 1 1} planes. The formation of nanotwins is the result of the internal stress during the growth progress of nanocrystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 305, Issue 1, 1 July 2007, Pages 59–62
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 305, Issue 1, 1 July 2007, Pages 59–62
نویسندگان
X.W. Du, H. Li, Y.W. Lu, J. Sun,