کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795765 | 1023729 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A bottom–up multiscale view of point-defect aggregation in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A bottom–up multiscale view of point-defect aggregation in silicon A bottom–up multiscale view of point-defect aggregation in silicon](/preview/png/1795765.png)
چکیده انگلیسی
A multiscale computational framework is presented for modeling and simulation of point-defect aggregation in crystalline silicon. Large-scale molecular dynamics simulations based on empirical potentials are employed to calculate both parametric and mechanistic data, which are passed onto lattice kinetic Monte Carlo and continuum rate equation models. Multiple model predictions are compared to experimental data and are shown to provide an accurate, comprehensive picture of vacancy aggregation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 1, 1 May 2007, Pages 5–11
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 1, 1 May 2007, Pages 5–11
نویسندگان
Talid Sinno,