کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795826 | 1023729 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism of n-doping of silicon carbide epitaxial films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Mechanism of n-doping of silicon carbide epitaxial films Mechanism of n-doping of silicon carbide epitaxial films](/preview/png/1795826.png)
چکیده انگلیسی
A kinetic model for the n-type doping of SiC is presented. The attention is focalized both on a complete chemical mechanism, with elementary reactions, and on a lumped one; these mechanisms are then used in a 1-D model of a Horizontal Hot Wall Reactor to obtain doping profiles during crystal growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 1, 1 May 2007, Pages 345–348
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 1, 1 May 2007, Pages 345–348
نویسندگان
A. Fiorucci, D. Moscatelli, M. Masi,