کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795910 | 1524485 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The high-speed growth of AlGaN by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy was investigated. The alloy composition and growth rate can be predicted by thermodynamical analysis. Crack-free thick AlGaN with an atomically flat surface can be grown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 215–218
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 215–218
نویسندگان
N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, N. Okada, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh,